原本在台灣美光任職的2名員工，跳槽到聯電後，涉嫌將美光技術洩漏給聯電，台中地院今（12日）下午宣判，依違反營業秘密法將跳槽員工判刑5年6個月以及4年6個月，聯電則被判處罰金1億元。
聯電與3名員工因為違反營業秘密法竊用美光技術，其中2名美光離職員工被判5年6個月併科500萬罰金，另外一名員工被判4年6個月併科400萬元，聯電協理被判6年6個月併科600萬罰金，聯電則被判1億元罰金，仍可上訴智慧財產法院。
對此，聯電表示會依法上訴。聯電聲明指出，本次DRAM製程開發，乃政府投審會核准專案，並為聯電自有技術為出發點，由三百多名工程師組成的研發團隊通力合作，耗時超過2年自主開發DRAM製程，且保留相關研發記錄，期盼經此過程訓練的DRAM研發人才與研發成果能夠根留台灣。除了工程師的努力外，聯電累積多年的研發經驗與傳承，更是趨動開發的中流砥柱。
聯電指出，該公司是台灣第一家半導體公司，一向正派經營，尊重智慧財產權，對台灣半導體產業發展與人才培養貢獻良多，聯電所有技術均為研發團隊自主研發或取得第三人授權。
為有效保護客戶包括營業秘密在內的智慧財產權，聯電在營運的每一環節皆有建全的資訊分級存取控制及監督機制。聯電並定期對員工施予智財保護相關之教育訓練，以提升員工的法遵意識；定期進行稽核，確保員工執行業務符合公司智財權保護政策。除前述政策及作為外，聯電也持續引進更為縝密及系統，以期能不斷加強並完善智慧財產權的管理。
聯電表示，該公司並未違反營業秘密法，並將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴，在上訴審中，聯電將提出本案調查及審理過程中諸多違反刑事訴訟法的可議之處，譬如偵訊過程中有不當誘導訊問；對聯電有利的陳述未能詳實記載於調查筆錄中；電磁及其他證據在鑑識上不符規定等等。聯電堅信上訴法院若能依法公正審酌本案證據，必能證明聯電並未違反營業秘密法。
美光聲明表示，欣見台中地方法院對聯電及其涉案3名員工做出有罪判決，對台中地方法院及司法機關的適切處深表感謝。
▼聯電與3名員工違反營業秘密法竊用美光技術。（圖／東森新聞）
另一方面，美光也發布聲明稿表示，針對此重大違反營業秘密法的行事案件，美光欣見台中地方法院對聯電及其涉案3名員工做出有罪判決，對台中地方法院及司法機關的適切處深表感謝。
美光過去四十多年已經投入數十億美元持續開發業界領先的先進技術，且在台長期耕耘製程開發與技術創新，數千名台灣同仁於此過程中，共同參與研發公司之智慧財產。美光營業秘密在台被竊用，甚至違法輸出至域外，此案對台灣半導體產業的整體發展造成之負面影響甚鉅，更危及產業未來的長期國際競爭力。此判決結果強化智慧財產權保護之台灣發展的重要性，更展現台灣司法單位對違反營業秘密犯行懲處之決心。美光將持續於全球範圍內強力捍衛美光的智慧財產權不受侵害。
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文章來源：竊取技術挨罰1億元 聯電、美光回應了
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