護國神山台積電持續推進技術布局，因應AI晶片功耗快速攀升，正式啟動AI「冷革命」，將新世代「微流道」散熱技術納入研發藍圖。同時，在CoWoS與先進封裝方面，台積電也持續擴大封裝尺寸和整合能力，盼進一步穩固全球晶片霸主地位。台積電董事長魏哲家表示，CoPoS距離大量生產可能還需要兩到三年時間，屆時產量才會明顯提升。
隨著CoWoS持續大型化，未來晶片封裝功耗可能從600瓦攀升到4100瓦，供電損耗可能增加超過5倍。為了解決散熱問題，產業技術正從過去依賴風冷或冷板，進一步走向直接在晶片上打造微型流體通道，讓冷卻液更接近熱源，快速帶走熱量。不過，微流道散熱技術高度仰賴晶片製造與封裝能力，製程難度也明顯提升。雲報政經產業研究院副社長柴煥欣表示，微流道技術須透過前段晶圓代工進行蝕刻與流體通道製作，後續再結合異質整合封裝，因此對晶圓代工製程能力高度依賴。
在先進封裝布局上，台積電高層也指出，未來不只整合24顆HBM，CoWoS還將進一步放大，朝面積超過14倍光罩尺寸的版本邁進，預計2029年實現。同時，台積電也持續強化高階記憶體及矽光子技術，其中HBM4基礎晶片採用N12製程，以達到降低功耗、提高頻寬的效果，下一代產品則將升級至N3製程。對於後續投資動能，柴煥欣表示，未來兩年台積電投入後段封裝的資本支出可望大幅成長。
除了技術突破，台積電也證實將進駐高雄，推動先進封裝設備供應鏈，加速材料與設備驗證，預期效率最高可提升五成。隨著微流道散熱、CoWoS、先進封裝、AI晶片與供應鏈布局同步推進，台積電持續擴大競爭優勢。
