台積電於2026年技術論壇宣布，半導體市場今年將提前跨越1兆美元大關 。透過首款200Gbps微環調變器（MRM）量產與MRAM、RRAM技術革新，台積電正以領先的矽光子及記憶體布局，驅動從生成式AI邁向實體AI的智慧革命 。
台積電在高效能運算（HPC）與AI領域持續突破，特別是針對傳輸效能與功耗的關鍵痛點，推出了緊湊型通用光子引擎（COUPE）技術 。台積電表示，搭載COUPE技術的全球首個200Gbps微環調變器（MRM）將於2026年正式進入量產 。這項技術能將共同封裝光學（CPO）解決方案整合，相較於傳統銅線，基板上的COUPE可提供4倍的功耗效率，並減少高達90%的延遲 。若在中介層上使用該技術，效能更可進階提升至10倍功耗效率與95%的延遲縮減 。台積電更預告，未來將持續擴展至400Gbps調變器與多波長技術，目標在2030年實現每毫米4Tbps的頻寬密度 。
針對特殊製程技術，台積電宣布非揮發性記憶體正加速朝向MRAM（磁阻隨機存取記憶體）與RRAM（電阻式隨機存取記憶體）發展，以支援製程從40/28/22奈米持續縮小至16/12奈米 。目前，40/28/22奈米的RRAM已自2022年起量產，而更先進的12奈米RRAM也已準備好進行客戶設計定案（tape-outs） 。在磁性記憶體方面，22奈米MRAM已穩定生產，16奈米版本則進入設計定案階段 。台積電強調，目前正開發能進一步提升邏輯密度與效能的12奈米MRAM，預計於2026年底前就緒 。
台積電在論壇中亦揭示了先進汽車技術的進程，N3A製程已於2025年第四季完成汽車應用認證，目前已有超過10個新設計定案 。此外，專為自動駕駛與實體AI設計的N2P「Auto-Use」製程設計套件也已啟動，而基於奈米片技術的N2A則預計在2028年首季取得認證 。在射頻技術領域，最新的N4CRF技術相較於前代，能為智慧型手機及AI眼鏡等RF SoC產品降低39%的功耗並縮減33%的面積 ，展現出台積電在多元應用領域的全面領先。
（封面圖/東森新聞）
