市場正瘋狂追逐碳化矽與氮化鎵等高規格材料，但決定這些前沿晶片能不能用的關鍵，卻是一塊被忽略的低調金屬。當電壓與電流因電動車與AI伺服器而飆升，導線架這個後段封裝環節，正以卓越的散熱與耐流特質，默默承載著功率元件的規格升級之路。
口袋證券表示，相較於負責運算的邏輯晶片，功率元件處理的是電能的開關與轉換，包含通斷、整流、升壓或降壓。不論是電動車將電池直流電轉為驅動馬達的交流電，或是AI伺服器將電網高壓逐級降至晶片可用的低壓，都必須依賴功率元件。目前市場常見的功率元件包含以矽為主的傳統主力MOSFET與IGBT，以及耐高壓高溫的碳化矽，還有高頻率、高功率密度的氮化鎵。多家市調機構對2026年全球功率半導體市場的估計，落在約588億至621億美元之間，年複合成長率大致介於5%至6%。其中矽基元件目前仍佔逾六成的最大宗；氮化鎵則被視為成長最快的材料，部分機構估其年複合成長率上看11%以上。英飛凌在2026年的展望中更預期，氮化鎵功率半導體市場規模至2030年可能逼近30億美元，較2025年成長約四倍。
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一顆裸晶無法直接焊接到電路板上，需要一個中介結構承載並導出電流，而導線架正是這個經由沖壓或蝕刻製成的金屬框架。導線架主要承擔結構支撐與電流導通兩項功能，雖然功能與一般較熟悉的IC載板相近，兩者都在晶片與電路板之間建立連接，但適用的場景與設計路線截然不同。口袋證券分析，邏輯晶片接腳數量龐大、講求細密走線，因此偏向載板路線；功率元件接腳較少，但須承載大電流與高電壓，因此多採導線架路線。原因可以歸納為三點，首先是散熱，功率元件運作時發熱顯著，導線架多採用厚實的銅合金，其優異的導熱性可將熱量快速自晶片導出，這是塑膠載板難以取代的。其次是耐流耐壓，高壓與大電流需要足夠厚實的金屬通道，導線架的厚銅結構在物理上具備優勢。最後則是成本，相較單價較高的ABF載板，導線架在功率應用上成本較低、可靠度高，始終未被載板完全取代。導線架並非技術較落後的選項，其物理特性恰好對應了功率元件最核心的需求。
近期使這項關係受到更多關注的，主要有兩股需求。第一是電動車的800V平台，從保時捷到現代汽車的E-GMP平台，800V高壓平台正加速採用，因其可帶來更快充電、更輕線材與更高效率，而800V也正是碳化矽元件的主要應用場景。市場上甚至有車規級碳化矽MOSFET交期被拉長至52週以上的訊息，顯示供需相對吃緊。第二則是AI伺服器的電力架構升級，AI機櫃供電正從傳統12V往800V HVDC高壓直流演進，市場預期此架構可能在2027年前後逐步成為新標準。
台灣在這條供應鏈上並非缺席者，市場上常合稱為導線架三雄的順德、界霖、長科，近年的營收動能與這段趨勢高度重疊。有業者切入車用功率導線架與AI伺服器電源、散熱元件；有業者將均熱片等散熱產品視為新的營收貢獻來源；亦有業者聚焦IC、QFN與HVDC相關導線架，並於海外布局新產能。
